2 مللي متر InGaAs PIN الثنائي الضوئي TO5

BPD-2STO5B-FW عبارة عن ثنائي ضوئي InGaAs PIN TO5 مقاس 2 مم تم تصميمه لاكتشاف الضوء عبر نطاق الطول الموجي 900 نانومتر إلى 1650 نانومتر. تتميز بمساحة نشطة كبيرة مقاس 2 مم لتجميع الضوء المحسن، واستجابة عالية (نوع 0.95 أمبير/واط عند 1550 نانومتر)، وتيار داكن منخفض، وسعة منخفضة. يقع الثنائي الضوئي في علبة معدنية TO5 قوية ومحكم الغلق مع نافذة بصرية مسطحة، ويوفر تشغيلًا موثوقًا به على المدى الطويل في نطاق درجات حرارة صناعية ممتدة من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية. مثالية لأجهزة قياس الطاقة الضوئية، ومعدات اختبار الألياف الضوئية، وأنظمة الاستشعار البصري، وأدوات التحليل الطيفي NIR.

إرسال استفسار

وصف المنتج

نظرة عامة على المنتج-2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

إن InGaAs PIN Photodiode TO5 مقاس 2 مم (الطراز: BPD-2STO5B-FW) من Box Optronics هو كاشف ضوئي عالي الأداء قريب من الأشعة تحت الحمراء (NIR) مصمم لقياس الطاقة البصرية، واختبار وقياس الألياف البصرية، والاستشعار البصري، وتطبيقات التحليل الطيفي. استنادًا إلى هيكل الثنائي الضوئي PIN الموثوق به، فإنه يحول الإشارات الضوئية الواردة من 900 نانومتر إلى 1650 نانومتر إلى تيار ضوئي متناسب مع خطية ممتازة واستجابة عالية وأداء مستقر على المدى الطويل.

منطقة الكشف الكبيرة تجعلها مناسبة بشكل خاص للكشف البصري في الفضاء الحر، وقياس الشعاع الموازي، والتطبيقات التي تتطلب اقترانًا بصريًا فعالاً ومحاذاة سهلة.

يتيح تصميم حزمة TO5 المدمجة سهولة التكامل مع الأجهزة البصرية ومعدات القياس الضوئية.

الميزات الرئيسية -2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

· قطر المنطقة النشطة الكبيرة: 2 مم لتجميع الضوء الفائق وتحمل المحاذاة

· نطاق الاستجابة الطيفية الواسع: 900 نانومتر إلى 1650 نانومتر

· الاستجابة العالية: 0.9 أمبير/وات نموذجي عند 1310 نانومتر، 0.95 أمبير/وات نموذجي عند 1550 نانومتر

· تيار مظلم منخفض للكشف عن الإشارات الضعيفة ذات الحساسية العالية

· سعة توصيل منخفضة للاستجابة السريعة وعرض النطاق الترددي الواسع

· الموثوقية العالية والاستقرار على المدى الطويل

· حزمة النوافذ المعدنية المسطحة المحكم TO5

التطبيقات النموذجية - 2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

· عدادات الطاقة الضوئية ووحدات مراقبة الطاقة الضوئية

· معدات اختبار وقياس الألياف الضوئية

· أنظمة الكشف عن الإشارات الضوئية ومراقبة الطاقة

· الأدوات التحليلية والتحليل الطيفي للأشعة تحت الحمراء القريبة (NIR).

· أنظمة مراقبة وتحكم الطاقة بالليزر

· أنظمة الكشف البصري والاستشعار البصري في الفضاء الحر

· معايرة وتوصيف المخفف البصري

· أبحاث الضوئيات والأجهزة المخبرية

المواصفات الفنية - 2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

الحد الأقصى المطلق للتقييمات (TC = 25 درجة مئوية)

المعلمة	رمز	تصنيف	وحدة
عكس الجهد	VRmax	20	V
درجة حرارة حالة التشغيل	قمة	-40 ~ +85	درجة مئوية
درجة حرارة التخزين	تجارة الرقيق عبر الأطلسي	-55 ~ +120	درجة مئوية

الخصائص الكهربائية الضوئية (TC = 25 درجة مئوية)

المعلمة	رمز	حالة الاختبار	دقيقة.	اكتب.	الأعلى.	وحدة
قطر المنطقة النشطة	φ	-	-	2	-	مم
المدى الطيفي	λ	-	900	-	1650	نانومتر
الاستجابة عند 1310 نانومتر	R	فر = 0 فولت	0.85	0.9	-	أ/ث
الاستجابة عند 1550 نانومتر	R	فر = 0 فولت	-	0.95	-	أ/ث
تشغيل الجهد العكسي	الواقع الافتراضي	-	-	-	-5	V
التيار المظلم	بطاقة تعريف	VR = -5V	-	2	10	غير متوفر
السعة	C	VR = -5 فولت، f = 1 ميجا هرتز	-	160	230	الجبهة الوطنية
السعة	C	VR = 0V، و = 1MHz	-	400	600	الجبهة الوطنية

لماذا تختار Box Optronics 2mm InGaAs PIN Photodiode؟

· الأداء المتسق والموثوقية

· رقابة صارمة على الجودة

· أسعار تنافسية

· موك مرن - يدعم كلاً من كميات البحث والتطوير الصغيرة وأوامر الإنتاج ذات الحجم الكبير

· الشحن الدولي عبر DHL/UPS/FedEx مع التتبع الكامل

أبعاد العبوة وتعريف الدبوس - 2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

طلب المعلومات-2mm InGaAs PIN Photodiode TO5

التسميات النموذجية

BPD - X X إلى XX - X - X

مثال: BPD-2STO5B-FW

مجال	شفرة	وصف
سلسلة المنتجات	اضطراب الشخصية الحدية	سلسلة الصندوق الضوئي
حجم المنطقة النشطة	2S	2S = قطر 2 مم (1S = 1 مم، 3S = 3 مم، 5S = 5 مم)
نوع الحزمة	TO5	TO5 = حزمة TO5 (TO46=TO46)
نوع الدبوس	B	B = دبوس من النوع B
نوع النافذة	مهاجم	FW = نافذة مسطحة

الأسئلة المتداولة (الأسئلة الشائعة) -2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5

س: ما هو الفرق بين الثنائيات الضوئية ذات المساحة النشطة 1 مم و 2 مم؟

ج: إن الاختلاف الأساسي بين الجهازين هو حجم المناطق النشطة الخاصة بهما.

يتميز InGaAs PD مقاس 2 مم بمساحة أكبر لتجميع الضوء وتسامح أفضل للمحاذاة، مما يجعله مثاليًا للكشف البصري في الفضاء الحر والتطبيقات التي تتضمن أقطار شعاع أكبر.

يتميز PD مقاس 1 مم عادةً بسعة توصيل أقل، مما يتيح عرض نطاق ترددي أعلى واستجابة عابرة أسرع.

يجب أن يعتمد اختيار الجهاز على متطلبات التطبيق الرئيسية، بما في ذلك كفاءة جمع الضوء، وتسامح المحاذاة، وسرعة الاستجابة.

س: ما هو الجهد العكسي الذي يجب أن أطبقه؟

ج: الجهد العكسي للتشغيل الموصى به هو عادة -5 فولت لهذا الثنائي الضوئي. يؤدي تطبيق التحيز العكسي إلى تقليل سعة الوصلة وزيادة منطقة النضوب، مما يساعد على تحسين كفاءة عرض النطاق الترددي وجمع الناقل.

ومع ذلك، قد يؤدي الجهد العكسي المفرط إلى زيادة التيار الداكن والضوضاء. بالنسبة لمعظم التطبيقات، يوفر -5V توازنًا جيدًا بين السرعة والحساسية وأداء الضوضاء.

س: هل يمكن استخدام هذا الثنائي الضوئي لتطبيقات 1550 نانومتر؟

ج: نعم. يتمتع BPD-2STO5B-FW بنطاق طيفي يتراوح بين 900-1650 نانومتر ويوفر استجابة عالية (0.95 أمبير/واط نموذجيًا) عند 1550 نانومتر، مما يجعله مناسبًا تمامًا للاتصالات البصرية وتطبيقات الاستشعار على النطاق C.

س: هل عبوة TO5 محكمة الغلق؟

ج: نعم، حزمة TO5 محكمة الغلق بعلبة معدنية ونافذة زجاجية مسطحة، مما يوفر الحماية ضد الرطوبة والغبار والملوثات البيئية. وهذا يضمن التشغيل الموثوق به على المدى الطويل في بيئات مختلفة.

س: ما هو الحد الأدنى لكمية الطلب (موك)؟

ج: موك لـ 2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5 هو 1 وحدة. نحن ندعم كميات الطلب المرنة. بالنسبة للنماذج القياسية، يمكننا توفير عدد قليل من القطع للبحث والتطوير والنماذج الأولية، بما يصل إلى آلاف الوحدات للإنتاج بكميات كبيرة. اتصل بنا للحصول على أسعار محددة بالكمية المطلوبة.

س: هل تقدمون دعم ورقة البيانات؟

ج: نعم، ورقة البيانات الكاملة متاحة للتحميل.

ورقة البيانات-2 مللي متر InGaAs PIN الضوئي TO5

ورقة البيانات

الرصاص الوقت-2 مللي متر InGaAs PIN الضوئي TO5

· الوحدات القياسية (النماذج المتوفرة): 3 إلى 5 أيام عمل

· الإنتاج القياسي: 10 إلى 15 يوم عمل

· الطلبات بالجملة: يرجى الاتصال للحصول على جدول الإنتاج

· الشحن الدولي: ~5 أيام عمل (DHL/UPS/FedEx Express)

· الخدمة العاجلة: متاحة عند الطلب

ملاحظات التشغيل والتعامل مع الثنائي الضوئي InGaAs PIN TO5

· الثنائيات الضوئية هي أجهزة حساسة للتفريغ الكهروستاتيكي (ESD). يجب دائمًا اتباع إجراءات الحماية المناسبة من التفريغ الكهروستاتيكي (ESD) أثناء المناولة.

· تجنب لمس الأسلاك والنافذة البصرية مباشرة بأصابعك العارية لمنع التلوث والأضرار المحتملة للتفريغ الإلكتروستاتيكي.

· قم بتخزين الأجهزة غير المستخدمة في عبوات آمنة من أجل ESD أو في صواني موصلة لتقليل خطر تلف التفريغ الكهروستاتيكي.

· لا تتجاوز الحد الأقصى المطلق للتقييمات المحددة في ورقة البيانات

· في حالة حدوث تلوث، قم بتنظيف النافذة البصرية بعناية باستخدام كحول الأيزوبروبيل (IPA) ومسحة خالية من الوبر.

· مراقبة القطبية الصحيحة أثناء التشغيل. قد يؤدي انحياز القطبية غير الصحيحة إلى التشغيل غير السليم وقد يتسبب في تلف دائم في ظل الظروف الحالية المفرطة.

الكلمات الساخنة: الصين 2 مم InGaAs PIN Photodiode TO5 الصانع والمورد والمصنع

إرسال استفسار

معلومات الاتصال



عنوان

غرفة 901، المبنى أ، رونغتشاو نيو إيرا بلازا، رقم 3 طريق لانكينغ الأول، مجتمع لوهو، منطقة جوانهو الفرعية، منطقة لونغهوا، شنتشن، 518110، الصين


هاتف

+86-13322933691


بريد إلكتروني

sales06@boxoptronics.com

هل تبحث عن أسعار تنافسية للطلبات بالجملة؟ أرسل استفسارًا إلى Box Optronics بخصوص أجهزة ليزر DFB وSLEDs وأجهزة ألياف PM عالية الأداء. احصل على عرض أسعار احترافي خلال 24 ساعة.