تم اختراع ليزر أشباه الموصلات في عام 1962 وحقق تشغيل الموجة المستمرة ببنية متغايرة مزدوجة في عام 1970، ليصبح مصدر الضوء الأساسي للاتصالات البصرية. يدعم نظام InGaAsP/InP نطاق الاتصالات منخفض الخسارة 1300/1550 نانومتر، وقد أصبحت MOCVD هي تكنولوجيا التصنيع السائدة.
ليزر أشباه الموصلاتيتكون من وسط كسب ورنان Fabry-Perot. يتم تحقيق الانقلاب السكاني عن طريق حقن الناقل، ويتم إنشاء الليزر عن طريق الانبعاث المحفز. يتم تحديد تباعد الوضع الطولي من خلال طول التجويف، ويتطلب قفل الوضع مزامنة الطور لأوضاع طولية متعددة
رسم تخطيطي لليزر واسع النطاق
العديد من تصميمات الليزر باستخدام نظام المواد InGaAsP/InP.
تم اعتماد نظام المواد InGaAsP/InP لنطاق الاتصالات، الذي يغطي 1300-1600 نانومتر. يحقق النمو الفوقي لـ MOCVD مطابقة شعرية عالية الدقة، وهو مخطط التصنيع الأساسي لأجهزة الليزر التجارية.
يزداد تيار العتبة بشكل كبير مع درجة الحرارة، وتعكس درجة الحرارة المميزة T₀ استقرار درجة الحرارة. يعتمد التعديل عالي السرعة على السعة المنخفضة والهياكل القوية الموجهة بالمؤشر.
تتميز أشعة الليزر شبه الموصلة بالحجم الصغير والموثوقية العالية، حيث تعمل كمصدر الضوء الأساسي للاتصالات البصرية ومصادر المضخات والطباعة والاستشعار، مما يدعم التصغير والتكامل بين الأنظمة فائقة السرعة ذات الوضع المقفل.
